对于固态硬盘描述不正确的是（）。

(1)【◆题库问题◆】：[单选] 对于固态硬盘描述不正确的是（）。
A．固态硬盘简称SSD硬盘
B．固态硬盘是依靠磁性碟片来存储数据
C．固态硬盘相对与普通硬盘有更高的存储速度
D．固态硬盘的接口通常为SATA接口

【◆参考答案◆】：B

(2)【◆题库问题◆】：[单选] 笔记本计算机专用光驱的突出特点是（）。
A．轻
B．薄
C．能耗低
D．吸盘式

【◆参考答案◆】：D

(3)【◆题库问题◆】：[单选] 袖珍型笔记本的LCD显示屏尺寸大多在（）英寸以下。
A．14
B．12
C．11
D．9

【◆参考答案◆】：B

(4)【◆题库问题◆】：[判断题] 充满电后的电池很热，应该待冷却后来居上再装入相机。
A．正确
B．错误

【◆参考答案◆】：正确

(5)【◆题库问题◆】：[多选] Intel酷睿微处理器支持下列哪些多媒体指令集（）。
A．3DNow!
B．SSE
C．SSE2
D．C．SSE3

【◆参考答案◆】：B, C, D

(6)【◆题库问题◆】：[单选] 使用DEBUG软件工具时，（）参数命令没有。
A．A
B．C
C．I
D．Q

【◆参考答案◆】：D

(7)【◆题库问题◆】：[单选] 服务器的主板一般不会使用（）板型主板。
A．ATX
B．EATX
C．BTX
D．WATX

【◆参考答案◆】：C

(8)【◆题库问题◆】：[名词解释] 访问时间

【◆参考答案◆】：从启动访问存储器操作到操作完成的时间。

(9)【◆题库问题◆】：[判断题] SATA硬盘的数据线连接在USB接口上。
A．正确
B．错误

【◆参考答案◆】：正确

(10)【◆题库问题◆】：[问答题,论述题] 什么叫窄沟效应？

【◆参考答案◆】：当JFET或MESFET沟道较短，<1um的情况下，这样的器件沟道内电场很高，载流子民饱合速度通过沟道，因而器件的工作速度得以提高，载流子漂移速度，通常用分段来描述，认为电场小于某一临界电场时，漂移速度与近似与电场强成正比，迁移率是常数，当电场高于临界时，速度饱和是常数。所以在短沟道中，速度是饱和的，漏极电流方程也发生了变化，这种由有况下饱和电流不是由于沟道夹断引起的而是由于速度饱和。