一个NPN型三极管，其基极、集电极、发射极电位分别是3.7V、5.4V，3V，此三极管处于（）状态。

(1)【◆题库问题◆】：[单选] 一个NPN型三极管，其基极、集电极、发射极电位分别是3.7V、5.4V，3V，此三极管处于（）状态。
A．A.放大B.饱和C.截止D.无法判定

【◆参考答案◆】：A

(2)【◆题库问题◆】：[填空题] 单总线通信协议中存在（）种写时隙，用于写0和写1。

【◆参考答案◆】：2

(3)【◆题库问题◆】：[多选] 下面是关于语音芯片应用方面的论述，错误的有（）。
A．ISD4000系列语音芯片采用的是LPC方式，不是直接记录和传送模拟语音信号的。
B．TSP5220语音芯片是采用直接模拟量存储技术，直接记录和传送模拟语音信号的。
C．ISD4004语音芯片与单片机的通信是采用同步串行通信。
D．TSP5220语音芯片与单片机采用并行传输数据。

【◆参考答案◆】：A, B

(4)【◆题库问题◆】：[填空题] 当MCS-51单片机外扩8KB程序存储器时，需使用EPROM2732芯片（）。

【◆参考答案◆】：2片

(5)【◆题库问题◆】：[单选] 下列指令能使R0的最高位置0的是（）。
A．ANL0，#7FH
B．ANLR0，#FH
C．ORLR0，#7FH
D．ORLR0，#80H

【◆参考答案◆】：A

(6)【◆题库问题◆】：[填空题] 当定时器To工作在方式（）时，要占定时器T1的（）和（）两个控制位。

【◆参考答案◆】：3；TR1；TF1

(7)【◆题库问题◆】：[问答题] 当单片机应用系统中数据存储器RAM地址和程序存储器EPROM地址重叠时，它们内容的读取是否会发生冲突，为什么？

【◆参考答案◆】：不会。由于80C51对ROM的读操作由PSEN控制，指令用MOVC类；对RAM读操作用RD控制，指令用MOVX。所以，尽管ROM与RAM的逻辑地址是重叠的，它们内容的读取也不会发生冲突。

(8)【◆题库问题◆】：[问答题] ARM9采用几级流水线，采用什么体系结构？

【◆参考答案◆】：ARM9采用五级流水线，采用冯.诺依曼体系结构。

(9)【◆题库问题◆】：[单选] 如果TCON寄存器的IE1=1，它的含义是（）。
A．外部中断1有中断请求
B．外部中断0有中断请求
C．定时器中断1有中断请求
D．定时器中断0有中断请求

【◆参考答案◆】：A

(10)【◆题库问题◆】：[填空题] MCS—5l单片机的堆栈区只可设置在（），堆栈寄存器5P是（）位寄存器。

【◆参考答案◆】：片内数据存储区（器）；8